Transistor power yang sering kita jumpai seperti C2499, C9060 dinamakan Transistor-bipolar. Sedang tipe seperti K2696, K1082 dinamakan MOSFET. Sebenarnya ada lagi tipe lain transistor yang dijumpai pada sirkit PDP (Plasma Display Panel) yang dinamakan IGBT. Banyak teknisi yang menyangka IGBT ini sama dengan MOSFET, padahal sesungguhnya berlainan, tetapi memang hampir sama, dan cara periksanya pun sama seperti MOSFET
IGBT merupakan gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar seperti terlihat pada gambar dibawah , dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C (collector) dan E (emitor). Seperi halnya MOSFET IGBT banyak digunakan pada sirkit power switching.
 Persamaan sirkit IGBT | Simbol komponen IGBT |
Apakah beda antara Power Bipolar-transistor, MOSFET, dan IGBT ?
- Transistor-bipolar membutuhkan “arus” yang besar untuk mendrive Basis atau berarti daya (watt) yang besar, mempunyai “slow turn-off” sehingga hanya dapat bekerja pada frekwensi terbatas, mudah panas (thermal runaway)
- MOSFET hampir tidak membutuhkan arus untuk mendrive Gate (hanya membutuhkan tegangan), tidak mudah panas, mampu bekerja pada frekwensi yang lebih tinggi.
- IGBT mempunyai karakteristik gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar. IGBT umumnya mempunyai kamampuan arus yang lebih besar dibanding dengan MOSFET maupun Transistor-bipolar. Sebagai contoh transistor-bipolar C6090 hanya mampu dilalui arus yang berbentuk pulsa maskimum 25A, maka IGBT G30N60D mampu dilalui arus pulsa maksimum hingga 160A
**************************************